双向可控硅
双向可控硅
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haohaobaxia 查看完整内容 这个电容是驱动电路的吸收电容。可以看一下MOC3020 的设计电路。
正好前段时间在学怎么设计Triac那个电阻，因为你的电路不全，所以没办法判断。
那个电容，理论上讲是不允许这么加的，这个电容会大大降低了Triacs的dI/dt能力（Q2，Q3象限）；但是呢，我又看到很多应用加这个电容（据了解是大家用SCR带来的习惯），建议你这样加：
你的意思是加了这个电容，在2,3象限会导致G向T1流动电流变慢，进而导致开关速度变慢？那后面那个加两个电阻的意义是什么呢？
我的意思是加了那个电容，在Q2,Q3时候，开通时，会向那个电容充电，会额外有di/dt产生（相当于增大），不同规格的triacs,这个di/dt是一定有限制的，超出规格会损坏triacs.
如果说是向电容充电的话，那在1,4象限也会向电容充电，回路都是一样的 ，从T1到可控硅，再到电容
回路不一样，Q2,Q3时，电流是T1流向G，流向电容，相当于加大了T1内部的DI/DT；Q1,Q4时，电流是驱动流向G和电容，再流向T1，此时T1内的电流没有受到这个电容的影响.triacs的应用，我认为难点是过零电路，驱动电路以及triacs可靠性设计，如果不差钱的话，那就无所谓了，直接找驱动光耦就行了.
过零电路可以用op搭建绝对值电路。
刚刚做了一个，效果还不错。
那请问这个电阻R和RG主要是什么作用呢？
限流和防止误触发。
RG如何实现避免误触发呢？
9楼PDF里说的很清楚啊
这个电容是驱动电路的吸收电容。
可以看一下MOC3020 的设计电路。
正好前段时间在学怎么设计Triac
吸收电容，吸收什么呢？能否具体点
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